大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于十三五科技创新成就展中科大的问题，于是小编就整理了3个相关介绍十三五科技创新成就展中科大的解答，让我们一起看看吧。
十三五期间的科技成就？
时速600公里的高速磁悬浮列车、国家目前最大直径的盾构机“京华号”“嫦娥五号”……在最近举行的国家“十三五”科技创新成就展上，一大批高精尖科学装置、国之重器模型亮相，令人赞叹。
“奋斗者”号载人潜水器、中国空间站、射电望远镜……从逐梦海洋到探索宇宙，一台台大国重器展现了当今中国“可上九天揽月，可下五洋捉鳖”的高科技和硬实力。
国家“十三五”科技创新成就展以“创新驱动发展迈向科技强国”为主题，通过1300多件实物、200多件模型等，集中展示了“十三五”以来的重大科技创新成就。
“十三五”期间，我国大力推进高新技术发展，强化关键核心技术攻关。“量子信息、铁基超导、干细胞、合成生物学等取得一批重大原创成果；“嫦娥四号”首登月背、北斗导航全球组网、C919大飞机首飞成功、‘悟空’和‘墨子’等系列科学实验卫星成功发射；磁约束核聚变、散裂中子源等设施建设取得突破，国家实验室加快布局。”
科学技术部部长王志刚在新闻发布会上告诉记者，“十三五”期间，我国深入实施创新驱动发展战略，坚持加强基础研究、应用基础研究和关键核心技术攻关。过去5年，我国全社会研发经费支出从1.42万亿元增长到2.21万亿元，研发投入强度从2.06%增长到2.23%，基础研究经费增长近一倍，技术市场合同成交额翻一番，一批关键核心技术取得突破。
中科大给中国做的贡献？
1. 科学研究：中科大在多个领域进行的科学研究都取得了重要进展，如量子计算、核聚变、药物研发等。
2. 人才培养：作为中国一流的高等教育机构之一，中科大培养了大批优秀的科技人才，其中不乏享誉国内外的杰出人才。
3. 社会服务：中科大开展了各种形式的社会服务活动，如推广科技、普及科学、提供专业咨询等，为社会做出了积极贡献。
4. 产业发展：中科大与企业合作，共同推进产学研结合，为中国的产业发展做出了贡献。
5. 文化传承：中科大也积极推动中国传统文化的传承和弘扬，开设了多门人文课程，为社会培养出更加全面的人才。
中科大对中国的发展做出了巨大的贡献。
1. 中科大是一所高水平的综合性研究型大学，致力于培养高素质创新型人才，为国家的现代化建设和人才队伍建设做出了很大的贡献。
2. 中科大以高水平科研为支撑，吸引了大量优秀人才，包括数位院士和各类科研专家，他们的研究成果为中国在科技领域取得高速发展提供了有力的支撑。
3. 此外，中科大积极推动各种合作交流项目，不断扩大学校的国际影响力，也为中国与世界各地之间的文化交流和发展做出了贡献。
在过去的63年里,中国科大在量子物理、纳米技术、人工智能、工程和生物医学等基础科学研究领域取得了重大成就。
它还分别于2015年和2016年发射了中国首颗暗物质粒子探测卫星“悟空”和世界首个量子通信卫星“墨子号”。2020年,学校开发的“中国科大新冠肺炎治疗方案”已推广到20多个国家和地区。
中国科技大学目前提交硒技术专利有多少项？
总共三项相关专利申请号： CN200910236574.8申请日： 2009.10.26公开(公告)号： CN101700871A公开(公告)日： 2010.05.05申请(专利权)人： 中国科学技术大学分类号： B82B3/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I优先权：摘要：本发明公开一种铜铟硒纳米线阵列及其制备方法。本发明是在玻璃或硅片基底上制备金属电极层后，利用有序纳米模板做生长掩膜在衬底上的金属电极上电沉积制备有序的纳米线结构铜铟硒P型吸收层材料阵列。并通过化学腐蚀或物理刻蚀的方法从上至下部分去除模板，露出纳米线阵列，该阵列可用于制备具有光电转换性能的异质结太阳能电池。申请号： CN201010211713.4申请日： 2010.06.21公开(公告)号： CN102054899A公开(公告)日： 2011.05.11申请(专利权)人： 中国科学技术大学分类号： H01L31/18(2006.01)I优先权：摘要：本发明公开了一种制备CuInSe2薄膜的方法。该方法，包括如下步骤：1)将铜盐和铟盐溶于有机溶剂中后，加入硝酸水溶液混匀，再加入乙醇胺进行反应，至反应体系的pH值为6时反应完毕，密封保温后得到前驱体溶胶；2)将所述前驱体溶胶成膜，干燥后在氢气气氛中进行还原，所述还原反应完毕冷却至室温后再与硒粉进行硒化反应，反应完毕冷却至室温后得到所述CuInSe2薄膜。该方法简单可行，成本低，所得薄膜质量高，是一种应用于大规模低成本的铜铟硒薄膜太阳能电池有效方法。申请号： CN200910236576.7申请日： 2009.10.26公开(公告)号： CN101700872A公开(公告)日： 2010.05.05申请(专利权)人： 中国科学技术大学分类号： B82B3/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I优先权：摘要：本发明公开一种铜铟镓硒纳米线阵列及其制备方法。本发明是在玻璃或硅片基底上制备金属电极层后，利用有序纳米模板做生长掩膜在衬底上的金属电极上电沉积制备有序的纳米线结构铜铟镓硒P型吸收层材料阵列。并通过化学腐蚀或物理刻蚀的方法从上至下部分去除模板，露出纳米线阵列，该阵列可用于与N型窗口层及金属电极组成具有光电转换性能的异质结。该铜铟镓硒纳米线阵列适用于高效率、低成本太阳能电池的制备
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